一、等离子体显示屏放电单元的电路模型和电容（论文文献综述）
张祥良[1]（2021）在《等离子体击穿受载煤体的电学响应及致裂增渗机理研究》文中研究表明我国瓦斯（煤层气）资源储量丰富,但煤层渗透性低严重制约了瓦斯的高效开发,在国家需求煤层气“增储上产”及产业整体处于“瓶颈”阶段的新形势下,积极探索新型的瓦斯增产方法意义重大。研究显示,以物理放电为基础的等离子体具有能量密度高、破坏性强的特点,在煤层致裂、解堵及增渗领域具有显着效果,受到业界高度关注。本文综合运用多学科交叉理论分析、宏微观相结合实验、等离子体电场数值模拟等研究方法,在设备上自主创建受载煤岩等离子体致裂增渗一体化实验系统,实现原位条件下煤体等离子体致裂与渗透率定量表征一体化操作;在研究方法上通过定量化、可视化研究击穿煤体内复杂孔-裂隙结构及渗透性演化规律;在研究思路方面以等离子体强化瓦斯抽采过程中涉及的电学响应、物性演化和多孔介质内瓦斯储运为研究主线;在理论方面阐明击穿煤体裂隙起裂及孔-裂隙演化模式、建立等离子体在煤体内部的流注发展模型、揭示击穿煤体内瓦斯运移机制。取得的研究成果如下:阐明了离子溶液与轴围压对煤体临界击穿电压的影响规律,提出了离子溶液改善煤体导电性的概念模型,建立了离子溶液浓度与煤体临界击穿电压之间的定量表达式。结果表明:煤体饱和离子溶液后原本的“导电死区”转变为“导电连续区域”,临界击穿电压随离子溶液浓度的增加而降低,击穿场强与浓度之间存在负指数函数关系;不同方向的地应力对煤体击穿难度的影响不同,轴压有利于降低煤体的击穿难度,而围压则会限制等离子体通道在煤体内部的扩展;受载煤体在等离子体作用下主要以新生裂隙为主,孔隙结构变化为辅。探讨了受载煤体击穿过程中典型电压与电流波形,研究了电压、击穿次数等关键影响因素对电学参数的影响规律,揭示了等离子体击穿受载煤体的电学响应机制。结果表明:增加击穿电压有利于加快煤体极化的速度、降低预击穿周期,峰值电流与击穿电压之间呈线性相关的关系;煤样首次击穿时难度最大,短时间内增加击穿次数,预击穿周期会骤降甚至消失,峰值电流随击穿次数增加呈现出先上升后稳定的趋势;等离子体影响煤体的电学性质,产生的影响有利于下一次击穿,临界击穿电压与击穿次数呈现出先线性下降后趋于稳定的趋势。研究了等离子体击穿煤体的动态发展过程,阐明了等离子体对煤体选择性破碎的致裂机制,构建了等离子体在煤体内部的流注发展模型。结果表明:等离子体通道在煤体内由正极逐渐发展到负极,电压越高等离子体通道携带的能量密度就越大,对煤体产生的冲击破坏效果就越强;电场强度在高介电常数介质内部表现出减弱的趋势,在低介电常数介质内部表现出增强的趋势,导致等离子体对煤体内裂隙的扩展具有选择性;等离子体在煤体内部的发展以流注的形式存在,二次电子崩是流注发展的关键。定量化、可视化研究了等离子体对煤体内部连通性孔-裂隙的影响规律,构建了击穿煤体等效拓扑网络模型,揭示了击穿煤体多尺度孔-裂隙结构损伤致裂机制,提出了击穿煤体孔-裂隙结构的损伤演化模式。结果表明:等离子体携带的高温会降低煤体含氧官能团（羟基与羰基）含量;击穿煤体中孔、大孔显着增加,累积孔隙和分形维数随电压的增加而增加;击穿煤体表面裂隙深度与宽度能达到几十至数百微米级别;击穿煤体内形成了相互贯通的空间裂隙网络,对流体的运移存在导流与控制作用;击穿煤体的抗压强度明显降低,与击穿电压之间存在负指数函数关系;等离子体对煤体存在扩孔、破孔、穿孔及裂隙扩展四种模式。阐明了击穿煤体内瓦斯运移（吸附、扩散、渗流）机制,揭示了击穿电压、击穿次数对孔-裂隙导流能力的控制机制。结果表明:受等离子体对煤体官能团结构的影响,击穿煤体吸附瓦斯的能力降低;击穿煤体内瓦斯扩散速率提升显着,且电压越高扩散速率增加越快;击穿前煤体的渗透率数量级仅为10-2 m D,击穿后渗透率可达几个m D级别,可使煤体的渗透率提高几十至数百倍;煤体渗透率随击穿电压的增加而提高,击穿次数增加后,煤体内粉碎区域半径扩大,一定程度上会堵塞部分气体渗流通道,但粉碎程度增加后有利于瓦斯解吸与扩散速率的增加。本文所取得的研究成果完善了等离子体对煤体致裂增渗机理的研究理论,进一步推动了等离子体技术在改善煤层透气性领域的应用。基于以上研究成果,博士期间作为负责人完成中央高校基本科研业务费等3项,以第一作者和通讯作者发表相关学术论文12篇（JCR一区SCI论文7篇,Top期刊8篇）,累积影响因子47.272,授权发明专利15项。本论文共计包含图131幅,表6个,参考文献340篇。
胡飞[2]（2021）在《滤波器自击穿效应及HPM防护应用》文中认为典型微波接收机前端配置由接收天线、滤波器、限幅器、低噪放和混频器构成,其中,低噪放和混频器属敏感器件,对外界强电磁波较为敏感,容易受到高功率微波（HPM）前门攻击。传统保护技术主要有滤波和限幅两种方式,布局为串行拓扑,功能上相互独立,难以实现在一个器件中完成时域、频域上兼容性HPM电磁环境防护功能。因此本论文提出,在HPM电磁环境下利用波导带通滤波器中天然谐振结构实现强场瞬态自击穿效应机制,实现微波前端一种集时域和频域的前级HPM防护技术途径。该方案思路如下:设法拓展滤波器的阻带宽度,利用宽阻带传输抑制度特性完成微波前端的带外频域防护;HPM脉冲输入时,特殊设计的滤波器谐振结构迅速完成瞬态微波击穿,实现大部分微波脉冲能量反射,从而实现微波前端的带内时域、能量域HPM限幅防护功能。显然,论文首先需要进行波导带通滤波器的宽阻带特性研究;其次,需要研究HPM电磁环境下波导滤波器中的短微波脉冲传输响应,获得窄脉冲下微波击穿效应的基本规律,为这种特殊等离子体限幅器的设计提供科学依据。基于容性加载技术,研究了一款具有特殊谐振结构的宽阻带波导带通滤波器结构,利用SPARK3D的电晕分析模块对波导滤波器的功率容量进行计算,通过调整波导滤波器中的谐振结构以兼顾波导滤波器的正常工作功率容量需求和合适的HPM击穿阈值。论文采用国内HPM业界广泛使用的PIC粒子模拟软件CHIPIC,进行瞬态微波脉冲击穿数值模拟,从宏粒子模型出发,基于PIC模拟、蒙特卡洛碰撞方法（MCC）,构建了HPM电磁环境下波导滤波器瞬态微波脉冲击穿模型,探究了滤波器在HPM电磁环境下的瞬态击穿特性。以中心频率9.05GHz,带宽400MHz的X波段波导型HPM保护装置设计为例,仿真计算表明,40d B抑制度带宽覆盖10GHz-20.93GHz,实现了宽带带外HPM防护;基于尖锥加载谐振结构的波导滤波器起始限幅阈值为1.1k W;当HPM功率达20k W后,尖峰泄漏能量低于13u J,波导滤波器的限幅隔离度大于20d B;响应时间与微波脉宽基本无关,尖峰泄漏能量与脉宽基本无关,且随着输入功率的增加呈减小趋势;计算结果验证了本文提出的时域与频域兼容HPM防护研究思路。论文还开展了小信号测试及低气压条件下的HPM注入实验,对模拟仿真结果进行了验证。
潘晓明[3]（2020）在《J-TEXT托卡马克上电子回旋辐射测量诊断的发展与相关实验》文中研究说明诊断技术的发展是聚变等离子体物理实验研究的基础。其中利用等离子体中处于微波范围电子回旋辐射信号,可以诊断电子温度及其相对涨落的一维或二维分布,分别对应于电子回旋辐射（Electron Cyclotron Emission,ECE）诊断和电子回旋辐射成像（ECE Imaging,ECEI）诊断。这类诊断技术具有优良的可近性,较高时空分辨率的特点,在国内外诸多磁约束装置上得到广泛应用。本论文主要围绕作者参与完成的J-TEXT托卡马克ECE诊断和ECEI诊断天线及电子学单元设计研制工作展开,并基于ECE诊断进行了等离子体输运约束相关的物理实验研究。作者前期主要参与完成了J-TEXT ECE诊断研制工作。ECE诊断采用了外差式结构,包含24个通道,频率范围覆盖80-125GHz,时间分辨可达0.5,径向空间分辨可达1.25cm。在大多数纵场条件下可以覆盖大半个等离子体区域。利用波导器件频率向上兼容的特点,ECE前端传输线采用的W波段设计,实现了单天线跨波段（W/F波段）测量。基于椭球反射镜的前端光路优化设计,将ECE极向分辨提升至2cm（中心）～5cm（边缘）。经过实验运行检验,J-TEXT ECE诊断性能稳定优异,为众多物理实验研究提供了良好的数据支持。为了更好地在J-TEXT上开展磁流体不稳定性和破裂机理的相关研究,作者自2015年起参与了J-TEXT ECEI诊断研制工作,并负责总体设计和电子学设计。基于J-TEXT放电区间对应的频率范围,围绕宏观磁流体不稳定性（锯齿,撕裂模等）等研究目标,确定了J-TEXT ECEI的双天线阵列设计方案,分别覆盖F波段（90-140GHz）和W波段（75-100GHz）,共计2（阵列）×8（径向）×16（极向）=256道。该方案配合先进准光学系统,既可分开观测同一磁面的高低场侧,又可合并测量一块连续宽带区域,以满足不同实验需求。本论文详细介绍了作者负责参与完成的J-TEXT天线阵列和电子学模块设计。为了满足J-TEXT ECEI需求,完成了16个不同频率高通滤波板的仿真设计和加工测试,并针对J-TEXT 105GHz电子回旋辐射加热系统,开展了陷波滤波板的设计和测试,其性能均达到了设计目标。为了提高系统运行调节效率,适应大型装置及未来聚变堆的操作要求,J-TEXT ECEI电子学模块摒弃了前代方案中器件手动拨片调节的方案,瞄准远程数字控制调节这一目标进行了全新设计。论文详细介绍了远程数控电子学模块各功能单元相关器件选择、数控方案设计的等细节,优化了面板接口设计以满足激增的数控信号通道的需求,最终完成了电子学模块的研制,提供了实现数控ECEI的硬件基础。此外,新的电子学模块设计拓展了系统的测量能力,单模块带宽由前代2-9GHz扩展为2-12GHz,频率选择方案由前代2种扩展为3种,进一步提高径向观测范围调节灵活性。ECEI诊断设计及加工完成后,围绕天线阵列和电子学模块开展了一系列的测试工作,对测试中遇到的关键问题进行了诊断、修复和优化。调试完成的J-TEXT ECEI诊断于2019年10月正式投入使用,已经获得了初步结果,远程数字控制功能使用正常,调节效率提升显着,针对宏观不稳定性的观测清晰准确,基本达到了研制目标。在开展ECEI研制工作的同时,作者还基于前期完成的ECE诊断开展了相关物理研究,包括电子热扩散系数测量分析,等离子体约束和冷脉冲实验相关的物理研究。在纯欧姆放电下的线性欧姆约束与饱和欧姆约束模式转换实验研究中,确定了J-TEXT等离子体在固定参数下约束模式转换的临界密度,与经验定标率给出的密度阈值较为接近。在冷脉冲实验研究中,从数据上定量上分析了温度剖面上发生逆极性响应期间不同等离子体参数的演化趋势,同时针对多普勒背向散射诊断测量到的电子密度涨落演化进行了频谱分析,发现其波数尺度与捕获电子模尺度相近的高频成分演化在高低密度下呈现不同趋势。实验分析认为只有在TEM主导电子热输运时,外加扰动使TEM不稳定性发生变化,才能引起温度上的逆极性变化。J-TEXT上ECE和ECEI诊断设计搭建完成后,经等离子体环境运行与物理实验检测,均可提供良好的空间观测能力和优良的信号质量,为J-TEXT托卡马克实验研究打好了诊断基础。
关肖飞[4]（2020）在《基于全P型LTPS-TFT的电压编程型像素补偿电路设计》文中研究表明有机发光二极管（Organic Light Emitting Diode,OLED）具有色彩鲜艳、超轻薄、自发光等优点,在高性能显示技术领域得到了广泛的应用。显示技术中的像素单元是由薄膜晶体管（Thin Film Transistors,TFT）驱动OLED来实现的。然而,在长时间电压应力作用下,驱动晶体管的阈值电压和迁移率会产生漂移,引起OLED驱动电流的变化;另外,寻址电极产生的寄生电阻会产生I-R（current-resistance）降,导致各个像素单元的电源电压不同,也会引起OLED驱动电流的变化。本文设计电压编程型像素电路来补偿上述因素引起的变化,以稳定OLED的驱动电流。本文介绍了AMOLED显示技术和像素补偿电路的基本原理,在深入调研像素补偿电路的研究进展的基础上,采用全P型低温多晶硅（Low Temperature Polycrystalline Silicon,LTPS）TFT设计像素补偿电路,具体工作总结如下:（1）改进了一种全P型的电压编程型6T2C像素补偿电路。与原电路仅能补偿阈值电压漂移相比,改进的电路还能补偿I-R降,并且减少了一个晶体管。仿真结果表明,当驱动管的阈值电压变化±0.5 V时,电流误差率小于2.2%,当I-R降变化0.5 V时,栅源压差变化0.004 V,几乎不影响驱动电流。（2）设计了一种全P型的电压编程型5T1C像素补偿电路。电路采用镜像晶体管的结构,在同一阶段实现了编程阶段阈值电压的提取和数据电压的输入。该电路能补偿驱动管的阈值电压漂移和I-R降,稳定OLED的驱动电流。仿真结果表明,当驱动管的阈值电压变化±0.5 V时,电流误差率小于5.8%,当I-R降下降10%,电流误差率小于7.9%。（3）继续对上述5T1C像素补偿电路的驱动时序进行改进。在编程阶段调整开关管的时序,减小驱动晶体管的源极电位,以补偿TFT迁移率的漂移,稳定OLED的驱动电流。仿真结果表明,驱动晶体管的迁移率变化±30%,电流误差率小于5.4%。
徐俊[5]（2020）在《热等离子场控制与参数监测方法研究》文中研究说明基于目前固废、废气等污染物对环境和人类健康造成的危害,而传统的污染物处理方法又面临着容易产生二次污染和通用性差等问题,等离子体技术属于一种污染物无害化处理的新兴技术。等离子体通过是否热平衡划分可分为冷等离子体和热等离子体,冷等离子体已有很多成功的应用案例,但是使用热等离子体处理危险污染物的研究还比较少。相较于前者,热等离子体的温度高,并且能量集中能够分解一些难于分解的污染物,并且无特定处理对象,是一种非常理想的无害化处理技术。但是目前的热等离子体技术能梯度分布太大,直接使用无法与气体和污染物充分接触,扩大电弧面积又面临电源功率过高的问题。针对目前热等离子体技术难以实用化的问题,本文以典型的滑动弧结构为研究对象,设计一种新型等离子体滑动弧发生器,同时建立能够驱动该设备的低功耗电源系统,通过仿真的手段分析装置流场和等离子场,并在此基础上进行结构改进,最后通过实验测试外界参数对热等离子场的影响。本文的主要研究内容可以归纳为:（1）热等离子场的控制方案:电极结构基于滑动弧原理,除了产生热等离子体的工作电极以外,还设计一组辅助电极,与工作电极呈十字交叉分布,用于提前击穿空气使得工作电极能够在低电压中起弧。为驱动工作电极设计大电流电路,采用全桥电路的逆变拓扑方式和电流环、电压环结合的反馈控制方式,保证电源的稳定输出。（2）有限元仿真分析:仿真理论分析分为气路流道的流场仿真和电极的等离子场仿真。流场仿真涉及到到气流的耦合,模型的选择;等离子体放电理论涉及到到电子的漂移扩散,粒子碰撞、重物质输运、化学反应等。运用ANSYS CFX建立流道气路通道的仿真模型,然后依据仿真改进装置气路结构,为等离子场发生建立一个平稳的流场条件;等离子场仿真使用COMSOL Multiphysics建立等离子体产生空间的反应模型,通过仿真得知辅助电极间隙最小处场强最大,明确了两组电极相互作用下周围空气电导率的改变情况。（3）热等离子体场实验研究:搭载电源系统和气路通道,在大气压环境下,通过调整气阀和电流大小探究不同功率和气流流速条件下对电弧的拉伸长度和电弧周期的影响,发现电流的增大确实能够提高拉伸长度和持续时间。但是在电流达到7A后,增强幅度不大。适当的提高气流流速,在一定程度上能够延长热等离子体电弧的拉长的程度,但是流速过大时,反而不利于热等离子体电弧的维持。（4）基于物联网技术的监测系统:搭建基于ARM9的物联网技术监测系统,其中包括现场监测和远程监测两大部分。保证在设备的运行界面和远端的上位机中都能对装置参数进行查看,提高对设备工作状态以及处理结果的监测效率。
丁度焓[6]（2019）在《等离子清洗用谐振电源及控制策略研究》文中研究表明等离子清洗技术作为制造业中的一种新兴的表面处理技术,因其具有的环保、无害、高效和干燥等优点,将逐渐成为表面清洗领域的主流处理手段。论文以等离子清洗电源作为研究对象,重点研究了系统的硬件电路拓扑,高效的宽范围的调功策略,模糊PFM控制算法及自适应遗传优化算法。（1）论文分析了等离子清洗电源的关键技术及研究进展,包括放电反应器、电路拓扑和控制策略,经对比分析选择“带旋转式喷嘴的同轴圆柱式反应器”作为等离子清洗机的放电枪头,选择“前级整流滤波电路+移相全桥串联谐振电路”作为系统的主电路拓扑。根据枪头及主电路拓扑,分析其等效电路模型、工作时序及模态,提出“PSPWMPFM”混合调制的控制策略,并通过仿真验证了该控制策略在理论上的正确性。（2）根据确定好的系统架构,论文对等离子清洗电源各模块的关键电路进行详细分析和设计。兼顾低纹波系数及低电流峰值的要求,对滤波电容和整流桥进行选型;根据应力要求,对移相全桥电路开关管及隔直电容进行参数设计;基于AP法对高频谐振变压器进行设计;以STM32为主控核心,对全桥驱动电路、参数采样及保护电路进行设计;基于UCC28610电源控制芯片,设计了准谐振反激辅助电源及高精度降压电源。（3）论文对比分析各种调功策略,设计了PSPWM-PFM混合调制的控制策略,针对系统易受干扰偏离谐振频率点的问题,设计基于模糊PFM的最大功率跟踪算法,并搭建模型对混合调制策略及模糊PFM最大功率跟踪算法进行仿真,验证了理论分析的正确性;研究对比了常规及改进型PID算法,设计了自适应遗传优化PID参数调节算法,仿真表明系统的抗干扰性、稳态性能和动态响应速度得到显着改善;为实现上述算法,分任务优先级编写了系统的软件程序,并设计了人机交互界面。（4）论文研制一台等离子清洗样机,并搭建相应的实验平台。对关键电路点的波形,控制模块的采样精度进行测试,实验结果与预期相符;测试对比三种调制算法,实验结果表明:混合调制算法的综合效果更具优越性,其输出效率83.0%95.7%,调功范围500W1000W,输出功率精度90%94%;对影响等离子清洗效果的因素进行了测试分析,实验结果表明:距离与清洗效果成负相关关系,设定功率和清洗效果成正相关关系,玻璃材料相比铝材料更易被改性。
吴晓震[7]（2012）在《纳秒脉冲驱动等离子体显示平板提高光效研究》文中认为目前,等离子体平板显示器（PDP）存在的主要问题是维持期白光光效过低,功耗过大。很高的热耗散不仅浪费能量,而且影响其使用寿命。基于快脉冲驱动能显着提高介质阻挡放电光效的理论基础,本文提出了一种提高PDP光效和能效的研究思路：利用快脉冲驱动改善PDP单元维持期介质阻挡放电发光强度,提高电光转化效率。本课题运用快脉冲技术自行设计纳秒脉冲驱动源实现正负300伏双极纳秒脉冲驱动PDP工作在单子场维持期。电源包括三级电路单向传递信号,第一级,FPGA可控编程控制技术输出控制信号。第二级,多模光纤隔离电气连接并传递信号,再经电流放大和栅极辅助驱动输出开关管控制信号。第三级,前级信号控制全桥高速MOSFET开通、关断输出300V双极纳秒脉冲。电源的输出按正负脉冲有无死区分为两种工作模式,两者均为ADS驱动方式中维持期单子场驱动模式：帧场频率50Hz,子场频率随脉宽变化而定,子场脉冲数为200。单子场内,输出峰值电流40安培,脉宽最小值为350ns、带载PDP上升沿最小值120ns。本课题设计不同实验方案驱动PDP模组工作在稳定放电状态下,测量了放电功率、白光光强相对值、特定波长红外辐射的强度以及照度值等光效评价参数。给出不同上升沿、脉宽、正负脉冲死区时间引起特性参数变化的曲线并利用快脉冲驱动介质阻挡放电提高光效的理论加以分析。综合对PDP单元放电机理分析和试验研究表明。第一,快上升沿脉冲驱动能够显着地改善PDP的发光效率,主要是能够提高172nm紫外辐射的强度。在500ns范围内,提高光效达13%/100ns,200ns上升沿的情况下比800ns的照度同比提高了2.9-5.0%。第二,PDP的脉宽应选择在800ns或以上,避开短脉冲低光效区,长脉宽有利于提高白光光效,在4-12μs范围内增长率为34.41x/μs（2%/μs）。第三,适当增加正负脉冲死区时间,选取能效和光效最优点工作可以提高光效达32%。论文工作对维持期驱动波形的参数设计具有参考价值。
赵玉峰[8]（2010）在《微弧氧化电流脉冲电源及其负载电气特性的研究》文中研究说明微弧氧化技术是近年来材料表面处理的一个重要研究内容,属于材料工程、电化学和电能变换技术研究的交叉领域,其氧化机理的不确定性和相关基础理论研究的薄弱导致了微弧氧化脉冲电源输出特性与其负载之间的不匹配,降低了电能转换效率和加工效率,从而所引起的高电能损耗限制了该技术的工业化推广应用。明确微弧氧化脉冲电源的负载电气特性、在此基础上设计与负载特性匹配的脉冲电源是降低微弧氧化电能损耗所亟待解决的工艺基础问题。本论文主要针对微弧氧化电流脉冲电源的设计及其负载的电气特性分析以及脉冲电源与其负载间的匹配技术进行了系统的研究。运用理论分析、实验研究和数值模拟相结合的方法,对微弧氧化脉冲电源的负载等效电路模型的建立和定量分析进行了深入研究。按照微弧氧化过程中放电原理和特性将完整的工艺过程划分为不同氧化阶段,通过电化学领域使用的电化学阻抗谱（EIS）研究方法,建立了微弧氧化脉冲电源负载在不同氧化阶段的电路模型,得出在脉冲电流作用下,微弧氧化电源负载本质上是容性负载,它在电路中可等效为阻容网络。根据微弧氧化工艺要求和脉冲电源的负载特性,提出了并联组合结构的方波电流脉冲电源方案,可实现脉冲宽度、幅值和频率的独立调节。设计了恒流特性BUCK型电路并联单元,通过各恒流单元间的均流并联,解决了输出电流幅值调节、功率控制和冗余的问题,有利于实现电源的模块化和大功率输出调节;采用电感短接作为能量存储和转换形式,使脉冲电源输出电流具有陡直前沿;针对开关损耗问题,运用缓冲型软开关技术,设计了无源缓冲型软开关电路,实现了零电流开通和零电压关断,降低了开关损耗,并改善了功率开关管的运行条件;针对脉冲电源各单元的功能和特点,在最大250kW等级,以PLC为核心设计了具有软启动、过压、过流和负载开路等保护功能的综合控制系统,为电源负载特性的深入研究以及国家重点工业性试验项目（PECC）的进行提供了必要条件。根据实验测量结果,分析了微弧氧化等效负载电路对电源输出脉冲幅值、频率、占空比等变化的响应规律;通过参数拟合的方法,结合氧化机理分析,建立了微弧氧化方波电流脉冲电源的负载电路模型,并进行了电路参数的定量表征;根据等效电路中的参数变化规律,对应得到了各个参数的具体物理意义;进行电路仿真分析,其结果与源于实际工况测量的响应特性和参数变化规律相吻合,为适于负载特性变化的微弧氧化脉冲电源及系统效率优化提供了设计依据和仿真研究条件。根据负载模型结构和定量参数,结合微弧氧化工艺实现条件,进行了电源脉冲作用效能分析,归纳了电源输出形式和波形参数对电能转化过程的影响规律。得出脉冲电流的前沿陡度对起弧速度具有决定性的影响;膜层击穿后仍然保持的电流既增加了系统的电能损耗,又是导致放电通道内的物质发生溅射的主要原因。在此基础上,对电源电流脉冲波形结构进行了优化,设计了具有电流尖峰形式输出的反激式电源实现方案,并进行了电源样机研制。通过仿真和实验,分别对方波脉冲电源和反激式脉冲电源进行功耗分析和对比,同时对本论文所建立的脉冲电源负载等效电路的合理性及其参数和反激式脉冲电源的优化效果进行了验证。为微弧氧化脉冲电源系统的优化设计提供了依据,进而为提高微弧氧化生产效率和电能转换效率提供了一种有效的方法。
郭侃,汤勇明,王保平[9]（2007）在《矩阵排列型SMPDP等效电路模型的改进》文中研究表明现有荫罩式等离子体显示屏（SMPDP）等效电路模型的建立,是基于所有像素特性一致,同时工作状态相同的假设,因此在其仿真应用中存在局限性。文章在原模型基础上进行了改进设计,提出了多放电单元矩阵排列式等效电路模型。该模型在原电路模型的基础上增加了寻址电极驱动IC和数据电极驱动IC电路,同时复制了多个放电单元等效电路模型。该模型在实现原等效电路模型各项仿真功能的基础上,还能实现原模型所不及的仿真功能,例如寻址期工作特性仿真、像素单元特性不一致对整屏性能的影响、相邻像素之间相互影响等。通过在PSpice环境下对矩阵排列型等效电路模型的系统工作特性仿真,所得结果与实验测试结果基本一致,因此该模型具有良好的等效替代性,适用于今后对SMPDP的系统设计与优化。
汤勇明[10]（2006）在《SMPDP等效电路模型的研究》文中进行了进一步梳理在大屏幕娱乐平板显示终端产品领域,目前最主流产品是等离子体显示屏和液晶屏。两者各有优缺点,严酷的市场竞争促使它们的技术都必须不断创新和改进。荫罩式等离子体显示器（SMPDP）技术方案的提出为等离子体显示器技术指出了一条有效的低成本化道路,对其继续保持在40英寸以上大屏幕平板显示器市场领域的主导地位具有非常重要的作用。在PDP技术研发领域,等效电路模型研究方法正因其快速、简洁、直观等突出优势近年来得到较好的发展。本论文的研究重点是设计针对SMPDP技术的等效电路模型,并构建和完善SMPDP适用的等效电路模型研究体系。论文首先详细分析了SMPDP的放电单元结构特点及其工作机制,设计并实施了多组特性测试实验,得到SMPDP气体放电的工作特性以及电路系统中对于SMPDP负载、驱动方式的变化而产生影响的实际结果。参考上述结果,根据SMPDP放电空间的结构特点和气体放电特性,本论文提出了SMPDP等效电路模型,它主要由电容网络和晶闸管元件构成,具有结构简单,应用方便的特点。经过利用商用电路模拟软件进行性能仿真所得的结果与测试结果相符,显示出良好的准确性和可等效替代性。该模型已经在SMPDP壁电荷工作机理阐述、能量复得电路功效分析和部分电路系统调整和优化实验等实际工作起到了良好的辅助设计作用。为了扩展SMPDP等效电路模型的应用场合,进一步降低系统开发成本,论文还先后分析了SMPDP等效电路模型参数变化对系统工作特性的影响,以及SMPDP等效电路模型参数与SMPDP结构设计之间的关系。在现有条件下,完成了SMPDP整屏等效电容取值经验公式的构建工作。
二、等离子体显示屏放电单元的电路模型和电容（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、等离子体显示屏放电单元的电路模型和电容（论文提纲范文）
（1）等离子体击穿受载煤体的电学响应及致裂增渗机理研究（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| abstract |
| 变量注释表 |
| 1 绪论 |
| 1.1 研究背景及意义 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.3 存在的主要问题 |
| 1.4 主要研究内容及思路 |
| 1.5 主要研究进展及成果 |
| 2 低透气性煤的电学特性及实验系统建立 |
| 2.1 低透气性煤导电与介电特性 |
| 2.2 低透气性煤制备及物性表征 |
| 2.3 等离子体致裂增渗实验系统 |
| 2.4 离子溶液对煤导电特性影响 |
| 2.5 本章小结 |
| 3 等离子体击穿低透气性煤的电学响应特征 |
| 3.1 离子溶液对煤体临界击穿电压的影响规律 |
| 3.2 受载条件对煤体临界击穿电压的影响规律 |
| 3.3 不同击穿电压下的电压与电流波形特征 |
| 3.4 击穿次数对电压与电流波形的影响规律 |
| 3.5 击穿次数对煤体临界击穿电压的影响规律 |
| 3.6 本章小结 |
| 4 等离子体击穿煤体裂隙起裂及扩展机制 |
| 4.1 等离子体击穿煤体动态发展过程 |
| 4.2 等离子体对裂隙起裂及扩展影响 |
| 4.3 等离子体击穿煤体流注放电模型 |
| 4.4 本章小结 |
| 5 等离子体击穿煤体多尺度孔裂隙结构演化机制 |
| 5.1 等离子体击穿煤体分子结构损伤规律 |
| 5.2 等离子体击穿煤体孔隙结构演化特征 |
| 5.3 等离子体击穿煤体表面裂隙扩展规律 |
| 5.4 等离子体击穿煤体内部裂隙演化特征 |
| 5.5 等离子体对煤体力学性质的影响规律 |
| 5.6 等离子体击穿煤体的损伤致裂机理 |
| 5.7 本章小结 |
| 6 等离子体击穿煤体内裂隙导流增渗机制 |
| 6.1 等离子体击穿煤体内瓦斯吸附变化规律 |
| 6.2 等离子体击穿煤体内瓦斯扩散演化规律 |
| 6.3 等离子体对受载煤体的渗透性影响规律 |
| 6.4 击穿电压对受载煤体渗透率的影响规律 |
| 6.5 击穿次数对受载煤体渗透率的影响规律 |
| 6.6 等离子体击穿煤体内气体运移机理探讨 |
| 6.7 本章小结 |
| 7 结论、创新点与展望 |
| 7.1 主要结论 |
| 7.2 创新点 |
| 7.3 展望 |
| 参考文献 |
| 作者简历 |
| 学位论文数据集 |
（2）滤波器自击穿效应及HPM防护应用（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究工作的背景与意义 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.3 PIC/MCC方法的发展历史 |
| 1.4 论文主要工作与章节安排 |
| 第二章 波导滤波器的设计原理与宽阻带研究 |
| 2.1 微波滤波器的分类与指标 |
| 2.2 微波滤波器的切比雪夫响应 |
| 2.3 低通原型滤波器的结构及元件参数 |
| 2.3.1 低通原型滤波器的电路结构 |
| 2.3.2 切比雪夫低通原型滤波器的元件参数 |
| 2.4 低通到带通的频率变换 |
| 2.5 倒置变换器 |
| 2.6 变形低通原型电路 |
| 2.7 波导滤波器宽阻带特性研究 |
| 2.8 小结 |
| 第三章 波导带通滤波器宽阻带设计与HPM频域防护 |
| 3.1 波导滤波器的设计 |
| 3.2 波导滤波器中的多物理场分析 |
| 3.3 波导滤波器加工和小信号测试 |
| 3.4 波导滤波器HPM频域防护应用 |
| 3.5 小结 |
| 第四章 波导带通滤波器瞬态微波击穿特性与HPM时域防护 |
| 4.1 波导带通滤波器长脉冲功率容量分析 |
| 4.1.1 SPARK3D简介 |
| 4.1.2 SPARK3D击穿模型 |
| 4.1.3 次级电子倍增分析 |
| 4.1.4 电晕击穿分析 |
| 4.1.4.1 不同环境温度下的功率容量 |
| 4.1.4.2 低气压下的功率容量 |
| 4.2 HPM电磁环境下波导带通滤波器微波击穿PIC模拟 |
| 4.2.1 PIC/MCC方法 |
| 4.2.2 CHIPIC软件简介 |
| 4.2.3 CHIPIC仿真结果 |
| 4.2.3.1 相同微波脉宽下不同功率参数的模拟 |
| 4.2.3.2 相同输入功率下不同脉宽参数的模拟 |
| 4.2.4 瞬态击穿特性分析 |
| 4.2.4.1 响应时间与脉宽和输入功率的关系 |
| 4.2.4.2 尖峰泄漏功率与脉宽和输入功率的关系 |
| 4.2.4.3 尖峰泄漏脉宽与脉宽和输入功率的关系 |
| 4.2.4.4 平顶泄漏功率与脉宽和输入功率的关系 |
| 4.2.4.5 击穿阈值与脉宽的关系 |
| 4.3 波导滤波器HPM时域防护应用 |
| 4.4 小结 |
| 第五章 波导带通滤波器HPM效应实验 |
| 5.1 实验原理 |
| 5.2 实验结果 |
| 5.2.1 击穿阈值与气压的关系 |
| 5.2.2 击穿阈值与脉宽的关系 |
| 5.2.3 尖峰泄漏、平顶泄漏与输入功率及脉宽的关系 |
| 5.2.3.1 尖峰泄漏功率、平顶泄漏与输入功率的关系 |
| 5.2.3.2 尖峰泄漏、平顶泄漏与脉宽的关系 |
| 5.3 小结 |
| 第六章 全文总结与展望 |
| 6.1 全文总结 |
| 6.2 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 硕士期间研究成果 |
（3）J-TEXT托卡马克上电子回旋辐射测量诊断的发展与相关实验（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 1 绪论 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.2 论文研究意义和目的 |
| 1.3 论文主要内容 |
| 2 电子回旋辐射测量 |
| 2.1 电子回旋辐射诊断原理 |
| 2.2 ECE诊断技术的发展历史 |
| 2.3 ECEI诊断技术的发展历史 |
| 2.4 本章小结 |
| 3 J-TEXT上多道ECE诊断的研制 |
| 3.1 J-TEXT上ECE测量技术方案 |
| 3.2 J-TEXT上24道ECE诊断研制 |
| 3.3 ECE诊断的前端光路设计 |
| 3.4 本章小结 |
| 4 J-TEXT上远程数控ECEI诊断的研制 |
| 4.1 ECEI诊断的设计需求与参数选择 |
| 4.2 准光学系统简介 |
| 4.3 高频选择性表面设计 |
| 4.4 电子学系统设计 |
| 4.5 远程数字控制方案设计 |
| 4.6 J-TEXT上 ECEI的其他设计 |
| 4.7 本章小结 |
| 5 J-TEXT上ECEI电子学系统的测试 |
| 5.1 电子学系统测试要求 |
| 5.2 天线阵列单元平台测试 |
| 5.3 电子学模块平台测试 |
| 5.4 等离子体环境运行实验 |
| 5.5 本章小结 |
| 6 J-TEXT上基于电子回旋辐射诊断测量的相关物理实验 |
| 6.1 电子热输运系数测量与分析 |
| 6.2 纯欧姆加热下约束模式转换研究 |
| 6.3 冷脉冲实验研究 |
| 6.4 本章小结 |
| 7 总结与展望 |
| 7.1 全文总结 |
| 7.2 进一步工作展望 |
| 8 致谢 |
| 9 参考文献 |
| 10 附录A 攻读博士学位期间所取得的学术成果 |
（4）基于全P型LTPS-TFT的电压编程型像素补偿电路设计（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 研究背景及意义 |
| 1.2 AMOLED像素补偿电路研究现状 |
| 1.3 像素电路尚待解决的关键问题 |
| 1.3.1 电压降问题 |
| 1.3.2 闪烁现象 |
| 1.3.3 载流子迁移率漂移 |
| 1.4 本文研究的重点与难点 |
| 1.5 本文主要内容及结构 |
| 第2章 AMOLED显示面板技术 |
| 2.1 AMOLED显示原理 |
| 2.2 传统2T1C原理 |
| 2.2.1 传统2T1C像素电路结构及原理 |
| 2.2.2 OLED器件特性 |
| 2.2.3 低温多晶硅的器件特性 |
| 2.3 2T1C像素电路非均匀性仿真 |
| 2.4 本章小结 |
| 第3章 电压编程型5T2C像素补偿电路设计 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 5T2C像素补偿电路工作原理 |
| 3.2.1 像素补偿电路结构 |
| 3.2.2 像素补偿电路原理 |
| 3.3 5T2C像素补偿电路仿真与分析 |
| 3.3.1 SPICE仿真说明 |
| 3.3.2 阈值电压变化对电路的影响 |
| 3.3.3 I-R降对电路的影响 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 电压编程型5T1C像素补偿电路设计 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 5T1C像素补偿电路工作原理 |
| 4.2.1 像素补偿电路结构 |
| 4.2.2 像素补偿电路原理 |
| 4.3 5T1C像素补偿电路仿真与分析 |
| 4.3.1 SPICE仿真说明 |
| 4.3.2 阈值电压变化对电路的影响 |
| 4.3.3 I-R降对电路的影响 |
| 4.4 补偿迁移率的5T1C电路的原理和仿真结果 |
| 4.4.1 补偿迁移率的5T1C电路的原理 |
| 4.4.2 仿真结果分析 |
| 4.5 本章小结 |
| 第5章 总结和展望 |
| 5.1 论文的总结 |
| 5.2 后续工作展望 |
| 参考文献 |
| 项目资助情况 |
| 附录1 攻读硕士学位期间发表的学术论文 |
| 附录2 硕士期间参与的项目 |
| 致谢 |
（5）热等离子场控制与参数监测方法研究（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 课题来源和立题背景 |
| 1.1.1 课题来源 |
| 1.1.2 课题的研究意义与背景 |
| 1.2 等离子技术的简介 |
| 1.2.1 等离子体的概念 |
| 1.2.2 等离子体的分类 |
| 1.2.3 冷离子体的技术 |
| 1.2.4 热等离子体技术 |
| 1.3 国内外研究现状 |
| 1.3.1 热等离子体的应用实例 |
| 1.3.2 目前存在的问题及本文的创新性 |
| 1.4 本文的研究课题和主要内容 |
| 第二章 热等离子场的控制方案 |
| 2.1 直接法热等离子体处理系统 |
| 2.1.1 装置的各个组成系统 |
| 2.1.2 装置的总体设计 |
| 2.2 热等离子体电极结构设计 |
| 2.2.1 低压工作电极结构设计 |
| 2.2.2 辅助高压电极结构设计 |
| 2.3 气路通道结构设计 |
| 2.4 驱动控制电路设计 |
| 2.4.1 滤波整流电路 |
| 2.4.2 开关电源电路 |
| 2.4.3 保护中断电路 |
| 2.4.4 控制反馈电路 |
| 2.4.5 驱动逆变电路 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 有限元流场分析与等离子体场分析 |
| 3.1 数值模拟分析简介 |
| 3.2 ANASY CFX流场分析过程 |
| 3.2.1 有限元模型建立与网格划分 |
| 3.2.2 设置计算域和边界条件 |
| 3.2.3 基于仿真的设计优化 |
| 3.3 热等离子体装置的等离子场分析 |
| 3.3.1 等离子场的仿真依据的理论和边界条件的设置 |
| 3.3.2 有限元网格的构建 |
| 3.3.3 仿真结果分析 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 热等离子体场实验研究 |
| 4.1 实验装置构建 |
| 4.1.1 热等离子体发生器的搭建 |
| 4.1.2 实验初始条件的确定 |
| 4.2 热等离子体电弧放电实验研究 |
| 4.2.1 输入功率对热等离子场的影响 |
| 4.2.2 气体流速对热等离子场的影响 |
| 4.2.3 热等离子发生器工作效率研究 |
| 4.3 本章总结 |
| 第五章 基于物联网技术的监测系统 |
| 5.1 物联网的架构组成 |
| 5.2 基于ARM9的物联网硬件系统设计 |
| 5.2.1 系统设计总体框架 |
| 5.2.2 嵌入式编译环境搭建 |
| 5.2.3 数据转换显示程序设计 |
| 5.2.4 ESP8266物联网通讯传输模块设计 |
| 5.3 数据上传在线监测测试 |
| 5.4 本章总结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 论文总结 |
| 6.2 对后续工作的展望 |
| 参考文献 |
| 附录1 |
| 攻读硕士学位期间的学术活动及成果情况 |
（6）等离子清洗用谐振电源及控制策略研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 课题研究背景及意义 |
| 1.2 等离子清洗用电源关键技术研究进展 |
| 1.2.1 等离子清洗用电源放电反应器 |
| 1.2.2 等离子清洗用电源电路拓扑 |
| 1.2.3 等离子清洗用电源控制策略 |
| 1.2.4 存在问题与对策 |
| 1.3 论文主要研究内容与章节安排 |
| 第二章 等离子清洗用谐振电源系统分析 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 谐振电源系统方案及等效模型 |
| 2.2.1 谐振电源系统方案 |
| 2.2.2 谐振电源系统等效模型 |
| 2.3 移相全桥谐振电路分析 |
| 2.3.1 工作时序及模态 |
| 2.3.2 调制方式 |
| 2.4 等离子清洗用谐振电源仿真分析 |
| 2.4.1 全桥电路驱动波形 |
| 2.4.2 工作状态 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 等离子清洗用谐振电源关键电路设计 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 功率模块关键电路分析与设计 |
| 3.2.1 整流滤波电路 |
| 3.2.2 移相全桥谐振电路 |
| 3.2.3 高频谐振变压器 |
| 3.3 控制模块关键电路分析与设计 |
| 3.3.1 全桥开关管驱动电路 |
| 3.3.2 运行参数采样及保护电路 |
| 3.3.3 主控核心及其资源分配 |
| 3.4 辅助电源模块关键电路分析与设计 |
| 3.4.1 基于UCC28610反激电源变压器 |
| 3.4.2 基于UCC28610反激电源关键参数 |
| 3.4.3 高精度降压电源 |
| 3.5 人机交互模块电路 |
| 3.6 本章小结 |
| 第四章 等离子清洗用谐振电源控制策略分析 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 等离子清洗用谐振电源混合调制策略 |
| 4.2.1 PSPWM-PFM混合调制技术 |
| 4.2.2 基于模糊PFM最大功率跟踪算法 |
| 4.2.3 仿真模型及结果分析 |
| 4.3 自适应遗传优化PID调节算法 |
| 4.3.1 系统传递函数 |
| 4.3.2 自适应遗传优化PID仿真算法 |
| 4.3.3 仿真结果分析 |
| 4.4 等离子清洗用谐振电源控制软件设计 |
| 4.4.1 电源控制软件 |
| 4.4.2 人机交互界面 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 等离子清洗用谐振电源实验与结果分析 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 等离子清洗用谐振电源系统实验平台 |
| 5.3 关键电路波形测试及分析 |
| 5.3.1 采样信号波形 |
| 5.3.2 移相全桥电路波形 |
| 5.3.3 变压器次级侧波形 |
| 5.4 控制模块信号采样精度测试 |
| 5.4.1 低压侧控制信号 |
| 5.4.2 高压侧控制信号 |
| 5.5 混合调制算法调功及性能测试 |
| 5.5.1 移相全桥谐振电路调功 |
| 5.5.2 PSPWM-PFM混合调制算法性能 |
| 5.6 等离子清洗样机清洗效果实验 |
| 5.6.1 作用距离及设定功率对清洗效果影响 |
| 5.6.2 材料性质对清洗效果影响 |
| 5.7 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 |
| 致谢 |
| 附件 |
（7）纳秒脉冲驱动等离子体显示平板提高光效研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 快脉冲技术概述 |
| 1.2.1 快脉冲技术的概念 |
| 1.2.2 快脉冲电源的优点及应用 |
| 1.3 课题应用背景 |
| 1.3.1 等离子体显示平板历史沿革 |
| 1.3.2 PDP显示产业发展现状 |
| 1.4 本论文主要研究思路 |
| 2 等离子体显示技术 |
| 2.1 等离子体显示平板结构 |
| 2.2 等离子体显示平板八子场维持驱动方式(ADS) |
| 2.3 等离子体显示平板驱动电源总体结构 |
| 2.4 一帧场中的完整维持期放电时序过程 |
| 2.5 等离子体显示平板放电功率估算 |
| 2.6 目前等离子体显示平板的问题及研究现状 |
| 2.6.1 等离子体显示平板的主要问题 |
| 2.6.2 改变放电单元气体组分 |
| 2.6.3 改变放电单元结构 |
| 2.6.4 改变驱动方式 |
| 3. 纳秒脉冲电源提高PDP光效的理论依据 |
| 3.1 介质阻挡放电简述 |
| 3.1.1 介质阻挡放电的背景和应用 |
| 3.1.2 介质阻挡放电的物理过程 |
| 3.1.3 驱动介质阻挡放电的电源 |
| 3.2 维持期PDP单元气体放电反应 |
| 3.2.1 PDP放电特性界定 |
| 3.2.2 等离子体显示平板的辉光放电理论 |
| 3.2.3 PDP气体放电粒子能级和反应过程 |
| 3.3 脉冲驱动提高介质阻挡放电紫外光效的实验基础 |
| 3.3.1 脉冲驱动氙准分子光源结果 |
| 3.3.2 快脉冲驱动KrCl~*准分子灯结果 |
| 3.4 电压上升沿对提高PDP光效的作用 |
| 3.5 正负脉冲死区时间对提高PDP光效的作用 |
| 4. 纳秒脉冲电源 |
| 4.1 传统的PDP维持驱动电路 |
| 4.1.1 传统能量恢复电路结构 |
| 4.1.2 能量恢复电路硬开关阶段上升沿分析 |
| 4.2 纳秒快脉冲电源简述 |
| 4.2.1 电源模块结构 |
| 4.2.2 电源波形指标 |
| 4.3 快脉冲电源主电路 |
| 4.3.1 主电路拓扑结构 |
| 4.3.2 参数计算及器件选取 |
| 4.4 快脉冲电源控制信号产生电路 |
| 4.4.1 驱动信号设计 |
| 4.4.2 多种信号产生方案比较 |
| 4.4.3 实验驱动方案选择 |
| 4.5 快脉冲电源隔离放大电路设计 |
| 4.5.1 快脉冲电源的电磁干扰及抑制 |
| 4.5.2 多种隔离和放大电路方案比较 |
| 4.5.3 隔离放大电流电路方案总结 |
| 4.6 快脉冲电源的输出结果 |
| 5 纳秒秒冲驱动PDP实验 |
| 5.1 实验方案 |
| 5.1.1 总体思路 |
| 5.1.2 实验平台构架 |
| 5.1.3 驱动电源参数改变方式 |
| 5.1.4 测量参量方式及仪器 |
| 5.1.5 物理量相对值表示说明 |
| 5.2 实验结果和分析 |
| 5.2.1 固定脉宽改变电压上升沿实验 |
| 5.2.2 固定电压上升沿改变脉宽测试光效(短脉冲区域)实验 |
| 5.2.3 固定电压上升沿改变脉宽光效能实验(长脉冲区域) |
| 5.2.4 改变脉宽对应不同上升沿红外辐射,照度测试 |
| 5.2.5 改变正负脉冲死区时间实验 |
| 6. 总结 |
| 附录 |
| 1. 纳秒脉冲驱动源相关电路图 |
| 2. FPGA控制信号源代码 |
| 2.1 顶层模块 |
| 2.2 按键模块 |
| 2.3 脉冲产生信号模块1 |
| 2.4 脉冲产生信号模块2 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
（8）微弧氧化电流脉冲电源及其负载电气特性的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 课题的来源及研究的目的与意义 |
| 1.2 微弧氧化技术的研究进展 |
| 1.2.1 微弧氧化技术的原理和研究进展 |
| 1.2.2 微弧氧化技术的研究重点和发展趋势 |
| 1.3 微弧氧化电源技术的发展现状 |
| 1.3.1 微弧氧化电源的形式 |
| 1.3.2 微弧氧化脉冲电源的研究现状 |
| 1.3.3 微弧氧化脉冲电源的发展趋势 |
| 1.4 微弧氧化负载特性的研究进展 |
| 1.5 论文的主要研究内容 |
| 第2章 微弧氧化脉冲电源输出特性对微弧和膜层性能的影响 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 脉冲电源输出形式对微弧和膜层性能的影响 |
| 2.3 脉冲电源输出参数对微弧和膜层性能的影响 |
| 2.3.1 电流密度的影响 |
| 2.3.2 电源输出电压的影响 |
| 2.3.3 电源输出频率和占空比的影响 |
| 2.3.4 脉冲能量密度对膜层性能的影响 |
| 2.4 不同氧化阶段的微弧氧化负载特性 |
| 2.4.1 微弧氧化的不同氧化阶段 |
| 2.4.2 不同氧化阶段的微弧氧化负载电气模型 |
| 2.5 本章小结 |
| 第3章 微弧氧化方波电流脉冲电源的设计 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 微弧氧化脉冲电源主电路的设计 |
| 3.2.1 脉冲电源主电路拓扑结构 |
| 3.2.2 主电路的工作模态分析 |
| 3.2.3 主电路器件选择和参数计算 |
| 3.3 以PLC 为核心的控制系统设计 |
| 3.4 电源仿真分析 |
| 3.5 本章小结 |
| 第4章 开关管应力分析与运行条件改善 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 开关管运行条件的优化 |
| 4.2.1 开关管运行条件优化方案的设计 |
| 4.2.2 开关管运行状态分析 |
| 4.3 电压尖峰冲击的抑制 |
| 4.4 开关管运行状态的仿真和实验分析 |
| 4.4.1 开关管运行状态的仿真分析 |
| 4.4.2 开关管运行状态的实验分析 |
| 4.5 微弧氧化脉冲电源实验 |
| 4.6 本章小结 |
| 第5章 微弧氧化脉冲电源系统的效率优化研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 微弧氧化负载回路对脉冲电流的响应特性及分析 |
| 5.2.1 电解槽负载理论建模 |
| 5.2.2 等效电路定量分析 |
| 5.2.3 负载电路模型仿真分析 |
| 5.2.4 负载电路模型参数变化规律 |
| 5.2.5 微弧氧化陶瓷氧化膜形成过程分析 |
| 5.2.6 脉冲电流源输出参数对脉冲能量的影响 |
| 5.3 脉冲能量密度优化的研究 |
| 5.3.1 高能量密度脉冲电流源的设计 |
| 5.3.2 反激式脉冲电源的仿真和实验 |
| 5.4 方波电源和反激式电源功耗对比分析 |
| 5.5 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 附录 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 |
| 致谢 |
| 个人简历 |
（9）矩阵排列型SMPDP等效电路模型的改进（论文提纲范文）
| 1 引 言 |
| 2 原SMPDP等效电路模型方案的缺陷及改进措施 |
| 3 矩阵排列型SMPDP等效电路模型的建立与优化 |
| 4 矩阵排列型SMPDP等效电路模型的仿真与工作状态分析 |
| 5 结 论 |
（10）SMPDP等效电路模型的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 显示技术及PDP技术发展概况 |
| 1.1.1 显示技术的发展 |
| 1.1.2 PDP技术的发展概况 |
| 1.1.3 PDP基本工作原理 |
| 1.1.4 主流PDP结构介绍 |
| 1.2 当今PDP技术研究方法的发展 |
| 1.2.1 PDP工作特性模拟仿真技术的发展 |
| 1.2.2 流体力学模型仿真技术的发展 |
| 1.2.3 等效电路模型仿真技术的发展 |
| 1.2.4 两种模拟仿真技术的对比 |
| 1.3 PDP等效电路模型研究方法简介 |
| 1.3.1 电路分析软件PSpice基础 |
| 1.3.2 PDP的等效电路模型研究方法的发展现状 |
| 1.4 SMPDP相关的研制与仿真技术的发展 |
| 1.4.1 SMPDP技术的发展过程 |
| 1.4.2 SMPDP模拟仿真技术的发展 |
| 1.5 论文的主要研究目的及内容 |
| 1.5.1 论文的研究目的及意义 |
| 1.5.2 论文的主要研究内容 |
| 1.5.3 论文的主要成果 |
| 第二章 SMPDP工作原理及特性测试 |
| 2.1 SMPDP放电单元的结构 |
| 2.2 SMPDP工作机理及其驱动系统设计 |
| 2.3 SMPDP放大单元的放电过程测量 |
| 2.4 SMPDP整屏电气特性测量 |
| 2.4.1 老练系统整屏点亮前后I-V特性变化实验 |
| 2.4.2 老练系统维持脉冲工作频率对I-V特性的影响实验 |
| 2.4.3 老练系统驱动显示面积对电路特性的影响实验 |
| 2.4.4 显示图案对SMPDP视频显示系统特性的影响实验 |
| 2.4.5 对SMPDP局域负载与整屏负载关系之间影响关系的推论 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 SMPDP等效电路模型设计 |
| 3.1 SMPDP单元等效电路模型基本方案设计 |
| 3.1.1 SMPDP基本等效电路模型的建立 |
| 3.1.2 SMPDP基本等效电路模型的修正 |
| 3.1.3 SMPDP等效电路模型的验证 |
| 3.2 SMPDP放电单元等效电路与整屏等效电路的转换关系 |
| 3.3 本章小结 |
| 第四章 SMPDP等效电路模型的应用 |
| 4.1 SMPDP等效电路模型对壁电荷工作原理的仿真 |
| 4.2 SMPDP等效电路模型对能量复得电路工作过程的仿真 |
| 4.2.1 SMPDP能量复得电路的设计 |
| 4.2.2 SMPDP能量复得电路功能的模拟 |
| 4.3 SMPDP等效电路模型对辅助维持脉冲工作原理的解释 |
| 4.4 SMPDP等效电路模型中各电路参数灵敏度分析 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 SMPDP等效电路模型参数关联因素 |
| 5.1 SMPDP等效电路模型中参数的关联因素分析 |
| 5.2 SMPDP单元等效电容的流体力学模型计算 |
| 5.2.1 行电极宽度变化对SMPDP放电单元电容的影响 |
| 5.2.2 介质层介电常数对SMPDP放电单元电容的影响 |
| 5.2.3 介质层厚度的变化对SMPDP放电单元电容的影响 |
| 5.2.4 荫罩高度的变化对SMPDP放电单元电容的影响 |
| 5.2.5 荫罩孔开口率的变化对SMPDP放电单元电容的影响 |
| 5.3 SMPDP整屏等效电容参数选取的经验公式 |
| 5.4 关于SMPDP电容值的讨论 |
| 5.5 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简介 |
四、等离子体显示屏放电单元的电路模型和电容（论文参考文献）
- [1]等离子体击穿受载煤体的电学响应及致裂增渗机理研究[D]. 张祥良. 中国矿业大学, 2021
- [2]滤波器自击穿效应及HPM防护应用[D]. 胡飞. 电子科技大学, 2021(01)
- [3]J-TEXT托卡马克上电子回旋辐射测量诊断的发展与相关实验[D]. 潘晓明. 华中科技大学, 2020(01)
- [4]基于全P型LTPS-TFT的电压编程型像素补偿电路设计[D]. 关肖飞. 南华大学, 2020(01)
- [5]热等离子场控制与参数监测方法研究[D]. 徐俊. 合肥工业大学, 2020(02)
- [6]等离子清洗用谐振电源及控制策略研究[D]. 丁度焓. 华南理工大学, 2019
- [7]纳秒脉冲驱动等离子体显示平板提高光效研究[D]. 吴晓震. 复旦大学, 2012(03)
- [8]微弧氧化电流脉冲电源及其负载电气特性的研究[D]. 赵玉峰. 哈尔滨工业大学, 2010(04)
- [9]矩阵排列型SMPDP等效电路模型的改进[J]. 郭侃,汤勇明,王保平. 液晶与显示, 2007(02)
- [10]SMPDP等效电路模型的研究[D]. 汤勇明. 东南大学, 2006(04)