一、晶片、微电子与技术升级（论文文献综述）
张倩,刘馨阳,聂国健,周军连[1]（2021）在《美国国防部可信微电子战略和举措演进研究》文中研究说明随着贸易全球化及商用先进技术加速发展,美国国防部认识到从2003年开始建立的"可信供应"能力已无法满足要求,迫切需要在保证微电子器件可信的基础上加大对先进商用技术的使用。为此,国防部于2017年提出"技术实现可信"的新安全框架及系列保障方法。目前,国防部表示已建立起微电子器件产品全寿命周期管控能力。列举了国防部担心其所用微电子器件产品中存在的安全隐患,梳理了国防部"可信代工厂"项目发展历程,研究分析了新安全框架的设置思路及所匹配9个项目的研究目标、投资和成果等内容,最后提出了值得借鉴的做法及对我国的预警。
黄崇勇[2]（2021）在《一种H型梁谐振式MEMS压力传感器》文中指出MEMS压力传感器因其结构特点和工作原理,具有测量精度高、易于大批量生产、长期稳定性好等优点,且制造过程与传统集成电路工艺兼容,已经广泛应用于航空航天、智能制造、汽车电子及生物医学领域。随着先进制造、人工智能技术发展,结合谐振式传感器具有灵敏度高、成品体积小、驱动功耗低的特点,谐振式MEMS压力传感器一直以来是国内外高校、科研机构研究的重点。传统压力传感器主要采用静电激励、电热激励、压电激励等驱动方式,存在非线性变化大、结构复杂、实现难度高等弊端。基于此,本篇论文设计了一种H型梁谐振式MEMS压力传感器,采用电磁激励/电磁拾振方式,敏感结构主要包括H型双端固支谐振梁、硅岛和压力敏感薄膜三个部分。利用Solid Works三维CAD软件建立MEMS压力传感器模型,通过ANSYS有限元仿真软件对传感器进行模拟分析与仿真验证,完成H型双端固支谐振梁前6阶模态分析、敏感薄膜预应力形变仿真和应力仿真,以及在空载、满量程、过压时压力传感器的总体仿真,得到传感器各项尺寸参数,结果显示:传感器量程为0～300k Pa,最大过载1.2倍满量程时,所设计H型梁谐振式MEMS压力传感器初始频率为57.984k Hz,传感器灵敏度达66.98Hz/k Pa,非线性误差小于0.15%×FS。最后根据压力传感器的仿真优化结果,按照MEMS制造规范,经过光刻、深反应离子刻蚀,以及硅通孔技术、真空封装等步骤,完成工艺流程设计。
黄崇勇[3]（2021）在《一种H型梁谐振式MEMS压力传感器》文中研究说明MEMS压力传感器因其结构特点和工作原理,具有测量精度高、易于大批量生产、长期稳定性好等优点,且制造过程与传统集成电路工艺兼容,已经广泛应用于航空航天、智能制造、汽车电子及生物医学领域。随着先进制造、人工智能技术发展,结合谐振式传感器具有灵敏度高、成品体积小、驱动功耗低的特点,谐振式MEMS压力传感器一直以来是国内外高校、科研机构研究的重点。传统压力传感器主要采用静电激励、电热激励、压电激励等驱动方式,存在非线性变化大、结构复杂、实现难度高等弊端。基于此,本篇论文设计了一种H型梁谐振式MEMS压力传感器,采用电磁激励/电磁拾振方式,敏感结构主要包括H型双端固支谐振梁、硅岛和压力敏感薄膜三个部分。利用Solid Works三维CAD软件建立MEMS压力传感器模型,通过ANSYS有限元仿真软件对传感器进行模拟分析与仿真验证,完成H型双端固支谐振梁前6阶模态分析、敏感薄膜预应力形变仿真和应力仿真,以及在空载、满量程、过压时压力传感器的总体仿真,得到传感器各项尺寸参数,结果显示:传感器量程为0～300k Pa,最大过载1.2倍满量程时,所设计H型梁谐振式MEMS压力传感器初始频率为57.984k Hz,传感器灵敏度达66.98Hz/k Pa,非线性误差小于0.15%×FS。最后根据压力传感器的仿真优化结果,按照MEMS制造规范,经过光刻、深反应离子刻蚀,以及硅通孔技术、真空封装等步骤,完成工艺流程设计。
秦北[4]（2020）在《归心》文中研究表明叶明义飞机从纽约起飞的时候,叶明义还在想,也许北美的原住民真是从亚洲一步一个脚印走过来的。地面的物体在舷窗里变小,化作线条和网格,还有不规则的色块。陆地的模样越来越像显微镜下他钻研了一辈子的半导体芯片。陆地与半导体本来也是同质的。岩石、沙砾里富含的硅元素,提纯,生长成单晶硅棒,再
曲晨冰[5]（2019）在《硅通孔微波耦合特性及三维集成微波无源滤波器研究》文中研究说明随着集成电路（Intergrated Circuits,ICs）应用多元化发展,半导体行业也面临着新的要求和挑战。业界希望通过寻找新材料和新的集成方法,来提高集成电路性能和更大的集成密度,而不单纯地依赖于存储器单元的物理缩放,来维持摩尔定律的发展趋势。增加集成、性能和异构性的一个重要方法是三维（Three-dimensional,3D）集成,其电路性能、体积、重量等方面都远远的优于二维平面集成电路,是未来集成电路进一步发展的重要趋势,以及实现片上系统的方案,也是能够使摩尔定律持续有效的新技术。作为3D IC中的关键技术之一,硅通孔（Through-Silicon-Via,TSV）技术实现了多层芯片垂直堆叠,具有尺寸小、能耗少、成本低、实现同构/异构芯片集成等优点,对3D IC的整体性能有着重要影响。因此,为了有效地形成大规模3D IC系统,TSV相关的理论研究与制造工艺研究都是必不可少的。此外,由于玻璃转接板在损耗、可视性等方面的优势,玻璃通孔（through glass via,TGV）技术实现为三维集成封装提供了更广阔的思路。近几年来,三维集成产品的工作频率越来越高,高密度TSV耦合产生的信号完整性问题也日益突出。另一方面,随着人们对移动通讯产品需求提高,在微波通信领域无源滤波器应用广泛,易于集成和小型化的三维无源滤波器引起人们的关注,也成为研究热点之一。本文针对硅通孔的微波耦合特性和三维无源微波滤波器进行了研究,主要的研究成果如下:1.建立高密度TSV阵列等效电路模型,提出尺寸优化的六边形TSV屏蔽簇结构,减小了串扰引入的损耗。本文通过提出等效回路矩阵方法,提取TSV阵列的电阻-电感-电容-电导参数,建立了多地环绕TSV屏蔽簇的π型等效电路模型,分析了接地TSV分布结构对耦合导纳参数和传输损耗的影响。进而建立六边形TSV屏蔽簇结构,并通过耦合测试结果证明了该结构能够有效减小相邻屏蔽簇间的串扰。相较于常用的四边形TSV屏蔽模块,六边形TSV屏蔽模块可以有效节约片上面积,减小三维微系统互连的片上尺寸。2.基于四端口网络和奇偶模分析方法建立差分TSV模型,研究了差分TSV的电磁特性。本文基于四端口网络提取了G-S-S-G型TSV阵列的阻抗和传输常数,采用奇偶模分析方法提取了差分传输TSV阵列的电磁特性参数。基于上述结果进一步建立了介质腔TSV阵列的等效电路模型,分析比较不同材料和结构TSV的差分损耗。本文对差分TSV与多个接地TSV的高密度TSV阵列的研究可以减小3D ICs中互连噪声和电磁干扰,有助于保证信号完整性。3.提出了新型紧凑3D TSV螺旋电感器结构,研究了其电感值和品质因子特性。本文首先通过提出的3D互连结构的修正因子优化电感解析式,构建了3D TSV电感器的可配置解析模型,分析不同物理尺寸对电感值的影响。其次基于仿真研究,在低频时紧凑3D TSV电感器比传统3D TSV电感器的片上电感密度增大一倍,同时品质因子更大。本文基于TSV技术的3D紧凑螺旋电感器的研究有利于无源器件的设计,提高3D系统异质结构集成度。4.基于新型紧凑3D螺旋电感器和3D叉指电容器结构,研究了可集成玻璃衬底的LC 3D TGV低通滤波器。本文设计的3D无源低通滤波器的低通损耗小,阻带抑制效果良好,最小有效面积为1.19×0.78 mm2,相对截止波长大小为0.020×0.013λg2。与其他几种工艺和结构的低通滤波器相比,本文提出的玻璃基板3D LC滤波器尺寸更小,更有利于微系统集成小型化。5.基于玻璃基底类集成波导结构,设计了V-band和W-band关键毫米波频率的带通滤波器。考虑到当前TGV的典型尺寸,本文分别采用单层和双层金属栅栏类集成波导结构,在较高频率V-band和W-band波段中制备出玻璃基板滤波器,并探究其滤波响应特性。本文对3D TGV类集成波导带通滤波器的研究,有助于异质芯片集成,减小芯片间的滤波损耗。
崔莹[6]（2019）在《基于QCM的湿度传感器及性能研究》文中进行了进一步梳理在现代社会中,环境湿度检测不仅与人类的生产和社会活动密切相关,同时对工业生产、农业种植、气象、环保、航天、国防等领域都具有重要的影响。随着时代的发展、科技的进步,市场对于湿度传感器的性能需求变得越来越高。近年来,电容型、电阻型湿度传感器的应用最为广泛。但它们都存在一些不足,电容型湿度传感器测量精度偏低,抗腐蚀能力较差,且很难对高湿度环境进行测量,而电阻型湿度传感器的线性度和产品互换性较差,低湿灵敏度偏低。因此,研制出灵敏度高、响应速度快、湿滞小、线性度好、成本低廉的湿度传感器具有重大意义。本文针对基于石英晶体微天平（Quartz Crystal Microbalance,QCM）的湿度传感器展开研究,它具有灵敏度高、稳定性好、线性度好、尺寸小、工作范围宽、结构简单等优势。QCM湿度传感器是以石英晶体谐振器电极表面的湿敏薄膜作为敏感元件,石英晶体谐振器作为换能元件,将其电极表面的质量改变转化为振荡电路输出的相应电信号（频率）的改变,从而实现对湿度的测量。分析石英晶体谐振器的结构、物理性质、频温特性、压电效应、测量原理、能陷理论及质量灵敏度等,根据Sauerbery方程得到湿敏膜的涂敷量以分析其对QCM湿度传感器性能的影响,并推导了石英晶体谐振器等效电路参数计算公式,该公式对QCM湿度传感器的改进具有一定的指导意义;经理论研究后对石英晶体谐振器进行选型,找到适合用于检测环境湿度的QCM传感器,采用普通振荡电路法作为石英晶体谐振器信号采集的方法,选用FPGA进行软硬件设计,进而对振荡电路的输出进行频率测量;搭建QCM湿度传感器检测平台,分析QCM湿度传感器的灵敏度、线性度、重复性、短期稳定性、湿滞性及响应/恢复时间等性能。实验结果表明,该湿度传感器的检测范围为15.1%RH～97.3%RH,具有较好的线性度和重复性,灵敏度可达22.4Hz/%RH,稳定性频率幅度在25Hz以内,湿滞为3%Hz,响应时间在29s以内,恢复时间在11s以内,该QCM湿度传感器达到了预期要求。
陈定辉[7]（2019）在《超大面阵非制冷红外探测器片级封装设计》文中研究表明片级封装（Wafer-Level package）技术是一种新型的半导体器件封装技术。在传统封装基础上将封装尺寸缩小到芯片尺寸,且以晶圆片的形式大批量生产,降低封装成本,实现了小型化封装。本文针对2048×1536超大面阵非制冷红外焦平面探测器片级封装的设计,开展了其片级封装总体方案设计、封装结构设计、工艺设计及关键工艺验证。主要完成内容如下:（1）完成了超大面阵非制冷红外探测器片级封装总体方案设计,包括组件结构方案设计和封装工艺方案设计。组件结构设计方面,分别完成了两层晶圆片结构和三层晶圆片结构器件片级封装设计;在片级封装工艺上完成了CTW（Chip to wafer）和WTW（Wafer to wafer）封装方案设计,并进一步完成了两个方案的工艺流程设计。（2）对片级封装力学、光学做了仿真设计,并绘制了器件两层及三层晶圆片级封装工程图。通过力学和光学可靠性仿真分析,确定了合适的基板厚度和键合环宽度;同时对器件片级封装真空寿命做了分析计算。根据芯片结构及可靠性仿真设计结果,确定封装键合环宽度为1.5mm,上基板的厚度为0.85mm,上基板的平面封装尺寸为44.860mm×41.730mm,下基板的平面封装尺寸为46.260mm×43.130mm,并依此绘制了器件两层及三层晶圆片级封装工程图。（3）完成了两层晶圆CTW、WTW片级封装工艺流程和三层晶圆WTW片级封装工艺流程设计。并对关键工艺开展了工艺验证,完成了晶圆键合环金属化工艺、晶圆键合工艺等实验验证。
张科[8]（2019）在《央企背景下的企业并购成效研究 ——以XX研究所并购XX公司为例》文中研究表明中央企业是在国家经济发展中承担着特殊使命和责任的企业群体。其企业并购行为,是切入新的业务领域,占领新的业务板块的有效途径。对其并购成效的评判,需要从其承担的特殊使命和责任角度方面进行分析。本文首先介绍了开展央企背景下企业并购成效研究的背景、目的和意义,然后介绍了在研究过程中涉及的相关概念及理论,为后续的案例分析奠定基础。其次,对当前我国央企背景下的企业并购现状进行梳理基础,接着,以央企XX研究所并购XX公司的案例为基础,对央企背景下的企业并购过程及成效进行深入分析,对XX研究所并购XX公司的并购成效进行研究,最后,结合业务实践,提出研究启发与进一步改善并购成效的意见建议。本文通过对央企背景下的企业并购成效进行深入的研究、分析,找出了一些对央企并购有益的借鉴,能够实现尽量全面、客观地反映上述央企背景下的企业并购成效的研究结果,进一步丰富了央企背景下企业并购成效分析的理论视角。
何立文[9]（2018）在《准分子激光微加工Al2O3陶瓷和硅晶片的实验研究》文中研究表明准分子激光具有波长短、重复频率高、单脉冲能量大和能量分布均匀等特点,在高效微加工领域有着独特的优势,因此准分子激光微加工技术具有很大的实用价值。针对激光参数在准分子激光微加工过程中的作用,本文的研究能够提供有价值的参考。本文选用193nmArF准分子激光、248nmKrF准分子激光和308nmXeCl准分子激光三种典型的准分子激光,对Al2O3陶瓷和硅晶片进行微孔加工。研究了不同波长情况下,激光能量、脉冲重复频率和脉冲数量对Al2O3陶瓷和硅晶片微孔加工的影响,归纳总结了准分子激光微加工Al2O3陶瓷和硅晶片的特性与规律。研究结果表明:不同波长准分子激光的脉冲重复频率对于Al2O3陶瓷和硅晶片的微孔加工结果没有影响;193nm、248nm和308nm准分子激光的能量密度分别超过3.0J/cm2、9.2J/cm2和2.8J/cm2时,Al2O3陶瓷的微孔宽度不再明显增加;193nm、248nm和308nm准分子激光的能量密度分别为6.4J/cm2、6.8 J/cm2和2.8 J/cm2时硅晶片微孔宽度随后不再发生改变;激光脉冲数量的影响规律是开始阶段随着脉冲数量的增加微孔宽度迅速变大,随后变化平缓,在达到某一值后,不再随脉冲数量的增加而变化。三种波长的准分子激光与Al2O3陶瓷相互作用时都出现小的熔融斑和小麻点群的损伤样貌,表明三种波长准分子激光与Al2O3陶瓷相互作用在实验过程均是以热效应机制为主。193nm准分子激光微加工硅晶片表面的热影响区小,周期性的条纹结构表明其加工机制主要以光化学作用为主。248nm和308nm准分子激光与硅的相互作用区域轮廓清晰说明热量传导范围很小,呈现“冷”加工的效果,辐照区域内部出现裂纹和熔融区,因而是光化学作用和光热作用共同作用的结果。最后,提出了本文实验过程中的优点和不足之处,分析下一步工作需要完善的环节,对今后的工作和实验做了展望。
姬峰[10]（2016）在《基于金属硬掩膜集成方案的铜互连双大马士革结构刻蚀工艺的开发及优化》文中研究说明随着集成电路互连线特征尺寸的进一步减小,基于铜和低K介电材料的多层互连技术成为降低互连RC延迟的必然选择。研究表明铜互连双大马士革工艺中的干法刻蚀,去胶等工艺对低k材料的机械与物化性能等都会带来不同程度的影响,会使集成结构中K值局部增加,削弱低K介电材料的优势。金属硬掩膜（MHM）双大马士革刻蚀解决方案在减少低k材料灰化损伤方面具有优势,但是由于全新金属掩膜TiN的引入,反应副产物成分由光阻携带的C/H/O变成含有金属Ti元素的更为复杂的副产物体系,这使得整个刻蚀工艺过程中面临许多有别与传统工艺的挑战。本论文针对双大马士革一体化刻蚀的聚合物残留缺陷问题,通过机理分析和实验验证对一体化刻蚀主要工艺参数进行调整,结果显示提高源激发功率并降低偏压功率以及升高晶圆基片温度能有效降低整体聚合物浓度水平,改善通孔底部聚合物残留状况。并通过引入C4F8反应气体,适当降低反应体系中的F/C比例,改善沟槽底部粗糙缺陷。开发出了具有较大工艺窗口的刻蚀工艺解决方案。针对双大马士革一体化刻蚀后晶圆表面氟钛凝结缺陷问题,基于晶圆表面氟钛凝结缺陷分布规律及潜在形成机理分析,提出在一体化刻蚀完成后增加N2 PST工艺过程。实验结果表明,N2 PST工艺的引入能有效控制晶片盒内整体含氟气体副产物的浓度,阻止晶圆表面氟钛凝结缺陷的形成。针对双大马士革结构一体化刻蚀后湿法清洗过程中的铜腐蚀失效问题,通过实验验证了失效机理为光诱导电化学铜腐蚀。在此基础上,提出通过严格控制铜互连工艺湿法清洗过程中的光照条件,防止光诱导电化学铜腐蚀失效的解决方案。基于对上述主要技术问题的研究,本论文开发并优化了双大马士革一体化刻蚀工艺以及配套湿法清洗工艺,使其能满足规模化量产对工艺窗口水平及工艺稳定性的要求。相关的研究工作对认识和理解MHM双大马士革刻蚀工艺中各技术步骤的潜在影响规律和机理有较大帮助,对进一步推动该工艺的发展和应用具有重要意义。
二、晶片、微电子与技术升级（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、晶片、微电子与技术升级（论文提纲范文）
（2）一种H型梁谐振式MEMS压力传感器（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 MEMS技术的简介与应用 |
| 1.1.1 MEMS技术简介 |
| 1.1.2 MEMS技术的应用 |
| 1.2 压力传感器 |
| 1.2.1 电容式压力传感器 |
| 1.2.2 压阻式压力传感器 |
| 1.2.3 光纤式压力传感器 |
| 1.2.4 谐振式压力传感器 |
| 1.2.5 一些新型压力传感器 |
| 1.3 MEMS压力传感器研究意义 |
| 1.4 本论文主要内容与章节 |
| 第二章 传感器工作原理及基本理论分析 |
| 2.1 总体设计方案 |
| 2.2 激励方式 |
| 2.3 谐振梁分析 |
| 2.3.1 单端固支谐振梁理论分析 |
| 2.3.2 双端固支谐振梁理论分析 |
| 2.3.3 双端固支谐振梁固有频率分析 |
| 2.4 压力敏感薄膜和硅岛分析 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 传感器结构设计与仿真分析 |
| 3.1 传感器总体结构设计 |
| 3.2 敏感结构设计 |
| 3.2.1 H型双端固支谐振梁设计 |
| 3.2.2 压力敏感薄膜与硅岛设计 |
| 3.3 传感器仿真分析 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 压力传感器工艺设计 |
| 4.1 MEMS制造工艺 |
| 4.1.1 光刻工艺 |
| 4.1.2 刻蚀工艺 |
| 4.1.3 硅硅键合 |
| 4.1.4 真空封装 |
| 4.1.5 TSV通孔技术 |
| 4.2 传感器制造工艺流程设计 |
| 4.3 本章小结 |
| 第五章 总结与展望 |
| 5.1 总结 |
| 5.2 展望 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间的学术活动及成果情况 |
（3）一种H型梁谐振式MEMS压力传感器（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 MEMS技术的简介与应用 |
| 1.1.1 MEMS技术简介 |
| 1.1.2 MEMS技术的应用 |
| 1.2 压力传感器 |
| 1.2.1 电容式压力传感器 |
| 1.2.2 压阻式压力传感器 |
| 1.2.3 光纤式压力传感器 |
| 1.2.4 谐振式压力传感器 |
| 1.2.5 一些新型压力传感器 |
| 1.3 MEMS压力传感器研究意义 |
| 1.4 本论文主要内容与章节 |
| 第二章 传感器工作原理及基本理论分析 |
| 2.1 总体设计方案 |
| 2.2 激励方式 |
| 2.3 谐振梁分析 |
| 2.3.1 单端固支谐振梁理论分析 |
| 2.3.2 双端固支谐振梁理论分析 |
| 2.3.3 双端固支谐振梁固有频率分析 |
| 2.4 压力敏感薄膜和硅岛分析 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 传感器结构设计与仿真分析 |
| 3.1 传感器总体结构设计 |
| 3.2 敏感结构设计 |
| 3.2.1 H型双端固支谐振梁设计 |
| 3.2.2 压力敏感薄膜与硅岛设计 |
| 3.3 传感器仿真分析 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 压力传感器工艺设计 |
| 4.1 MEMS制造工艺 |
| 4.1.1 光刻工艺 |
| 4.1.2 刻蚀工艺 |
| 4.1.3 硅硅键合 |
| 4.1.4 真空封装 |
| 4.1.5 TSV通孔技术 |
| 4.2 传感器制造工艺流程设计 |
| 4.3 本章小结 |
| 第五章 总结与展望 |
| 5.1 总结 |
| 5.2 展望 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间的学术活动及成果情况 |
（5）硅通孔微波耦合特性及三维集成微波无源滤波器研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 符号对照表 |
| 缩略语对照表 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 三维集成技术研究背景 |
| 1.2 基于TSV的三维集成电路发展现状 |
| 1.3 基于TSV的三维集成电路发展趋势 |
| 1.4 TSV技术研究热点与挑战 |
| 1.5 论文研究内容与结构安排 |
| 第二章 三维集成关键工艺技术 |
| 2.1 3D IC工艺顺序 |
| 2.2 TSV加工关键技术 |
| 2.2.1 通孔刻蚀 |
| 2.2.2 TSV介质层 |
| 2.2.3 TSV阻挡层和种子层 |
| 2.2.4 TSV金属填充 |
| 2.3 晶圆减薄 |
| 2.4 晶片对准和键合 |
| 2.5 TGV技术 |
| 2.6 本章小结 |
| 第三章 TSV屏蔽簇耦合特性研究 |
| 3.1 多地环绕TSV簇结构 |
| 3.2 多地环绕TSV簇等效电路模型 |
| 3.2.1 等效回路电感提取 |
| 3.2.2 衬底耦合参数提取 |
| 3.2.3 TSV内部阻抗参数与线性电容参数提取 |
| 3.2.4 TSV簇的π型等效电路网络 |
| 3.3 模型验证与频域分析 |
| 3.3.1 等效电路模型的验证 |
| 3.3.2 接地TSV排布对插入损耗影响 |
| 3.4 六边形接地TSV簇 |
| 3.4.1 六边形屏蔽机制 |
| 3.4.2 寄生参数与插入损耗 |
| 3.4.3 尺寸优势 |
| 3.5 实验加工与测试 |
| 3.5.1 多地环绕TSV簇测试结构制造 |
| 3.5.2 屏蔽簇测试结果提取 |
| 3.5.3 TSV屏蔽簇防串扰验证 |
| 3.6 本章小结 |
| 第四章 高密度差分TSV等效电路模型研究 |
| 4.1 多地环绕的差分TSV结构 |
| 4.2 多地环绕差分TSV等效电路模型 |
| 4.2.1 单端TSV等效电参数提取 |
| 4.2.2 差分TSV等效电路模型 |
| 4.2.3 差分TSV特性阻抗与电参数提取 |
| 4.2.4 差分TSV的混模S参数 |
| 4.3 模型验证与分析 |
| 4.4 Polymer介质腔差分TSV |
| 4.4.1 Polymer腔体TSV结构 |
| 4.4.2 耦合参数与等效电路模型 |
| 4.4.3 单端与差分Polymer腔体TSV频域特性 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 基于TSV的紧凑三维螺旋电感器 |
| 5.1 基于TSV的紧凑三维螺旋电感器结构 |
| 5.1.1 传统单层3D TSV螺旋电感器结构 |
| 5.1.2 基于TSV的嵌套式3D螺旋电感器 |
| 5.2 基于TSV的三维互联结构的电感解析模型 |
| 5.2.1 三维互连的部分电感与总电感 |
| 5.2.2 部分电感与总电感解析模型 |
| 5.2.3 三维互连结构电感模型优化与分析 |
| 5.3 嵌套式3D TSV螺旋电感器解析模型 |
| 5.3.1 竖直TSV的电感解析 |
| 5.3.2 水平分布RDL的电感解析 |
| 5.3.3 3D TSV电感器回路总电感 |
| 5.3.4 模型验证与分析 |
| 5.4 基于TSV的紧凑三维螺旋电感器Q因子研究 |
| 5.4.1 Q因子提取与分析 |
| 5.4.2 衬底厚度对电感器Q因子影响 |
| 5.5 本章小结 |
| 第六章 基于TGV的三维集成微波无源滤波器 |
| 6.1 基于TGV的低通滤波器 |
| 6.1.1 LC低通滤波器设计原理 |
| 6.1.2 基于TGV的三维螺旋电感器 |
| 6.1.3 基于TGV的三维叉指电容器 |
| 6.1.4 三维LC滤波器设计与滤波响应 |
| 6.1.5 尺寸优势 |
| 6.2 基于TGV的毫米波带通滤波器 |
| 6.2.1 SIW带通滤波器综合 |
| 6.2.2 滤波器设计与讨论 |
| 6.3 本章小结 |
| 第七章 总结与展望 |
| 7.1 研究总结 |
| 7.2 研究展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简介 |
（6）基于QCM的湿度传感器及性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 课题研究背景及意义 |
| 1.2 湿度及湿度传感器概述 |
| 1.2.1 湿度及其表示 |
| 1.2.2 湿度传感器概述 |
| 1.2.3 湿度传感器的主要特性参数 |
| 1.2.4 湿度传感器的发展方向 |
| 1.3 国内外研究现状 |
| 1.3.1 国外研究现状 |
| 1.3.2 国内研究现状 |
| 1.4 课题主要研究内容 |
| 第2章 石英晶体谐振器的基本原理及信号采集方法 |
| 2.1 理论分析 |
| 2.1.1 石英晶体谐振器的结构 |
| 2.1.2 石英晶体的物理性质 |
| 2.1.3 石英晶体谐振器的切型与频温特性 |
| 2.1.4 石英晶体谐振器的压电效应 |
| 2.1.5 石英晶体谐振器的测量原理 |
| 2.1.6 能陷理论 |
| 2.1.7 m-m型电极石英晶体谐振器的质量灵敏度 |
| 2.1.8 石英晶体谐振器的等效电路参数计算方法 |
| 2.1.9 影响QCM湿度传感器测量结果的因素 |
| 2.2 石英晶体谐振器的选型 |
| 2.3 石英晶体谐振器的信号采集方法 |
| 2.3.1 耗散因子法 |
| 2.3.2 频谱分析法 |
| 2.3.3 锁相环振荡电路法 |
| 2.3.4 普通振荡电路法 |
| 2.3.5 信号采集方法的选取 |
| 2.4 本章小结 |
| 第3章 QCM湿度传感器检测系统软硬件设计 |
| 3.1 QCM湿度传感器检测系统硬件设计 |
| 3.1.1 FPGA概述 |
| 3.1.2 FPGA的基本结构 |
| 3.1.3 FPGA设计流程 |
| 3.2 检测系统硬件电路设计 |
| 3.2.1 振荡电路 |
| 3.2.2 FPGA主控电路 |
| 3.2.3 高通滤波及电压跟随电路、A/D采集电路 |
| 3.2.4 电压转换电路 |
| 3.2.5 程序下载电路、FLASH存储电路 |
| 3.2.6 数码管显示电路 |
| 3.2.7 外部时钟电路、复位电路 |
| 3.2.8 指示灯电路、去耦电容 |
| 3.2.9 外部接口电路 |
| 3.2.10 电路原理图、实物图及PCB板设计图 |
| 3.3 EDA技术 |
| 3.3.1 电子设计自动化技术 |
| 3.3.2 软件工具 |
| 3.3.3 硬件描述语言(HDL) |
| 3.4 检测系统软件设计 |
| 3.4.1 PLL时钟配置模块 |
| 3.4.2 等精度测频模块 |
| 3.4.3 数码管显示模块 |
| 3.4.4 串口通信模块 |
| 3.4.5 FPGA频率检测整体模块原理图、RTL图、SignalTap Ⅱ图 |
| 3.5 FPGA频率检测电路功能验证 |
| 3.6 本章小结 |
| 第4章 QCM湿度传感器检测平台的搭建及性能分析 |
| 4.1 QCM湿度传感器检测平台 |
| 4.2 基于饱和盐溶液的标准湿度环境的构建 |
| 4.3 敏感膜的选择与处理 |
| 4.3.1 氧化石墨烯(GO)敏感膜特性 |
| 4.3.2 石英晶体谐振器及实验仪器的清洗 |
| 4.3.3 敏感膜的涂敷及加热成膜 |
| 4.3.4 实验材料及仪器 |
| 4.4 QCM湿度传感器检测实验 |
| 4.4.1 课题性能指标 |
| 4.4.2 空白实验 |
| 4.4.3 实验测试 |
| 4.5 QCM湿度传感器性能分析 |
| 4.5.1 QCM湿度传感器的感湿特性曲线 |
| 4.5.2 QCM湿度传感器的灵敏度与线性度 |
| 4.5.3 QCM湿度传感器的湿滞性 |
| 4.5.4 QCM湿度传感器的重复性 |
| 4.5.5 QCM湿度传感器的响应/恢复时间 |
| 4.5.6 QCM湿度传感器的短期稳定性 |
| 4.5.7 实验过程中存在的误差 |
| 4.6 本章小结 |
| 第5章 总结与展望 |
| 5.1 总结 |
| 5.2 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及科研成果 |
（7）超大面阵非制冷红外探测器片级封装设计（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 前言 |
| 1.1.1 非制冷红外探测技术及其特点 |
| 1.1.2 非制冷红外焦平面真空封装技术 |
| 1.1.3 片级封装工艺技术的发展和特点 |
| 1.2 非制冷红外探测器片级封装国内外研究现状 |
| 1.3 本文主要研究内容 |
| 1.4 本章小结 |
| 第二章 超大面阵非制冷红外探测器片级封装总体方案设计 |
| 2.1 片级封装总体方案设计 |
| 2.2 超大面阵非制冷红外探测器片级封装结构方案设计 |
| 2.3 超大面阵非制冷红外探测器片级封装工艺方案设计 |
| 2.3.1 阳极键合及玻璃浆料键合技术 |
| 2.3.2 热压键合技术及SLID键合技术 |
| 2.3.3 金属共晶键合技术 |
| 2.3.4 整体工艺路线选择 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 超大面阵非制冷红外探测器片级封装结构设计 |
| 3.1 两层晶圆片级封装结构尺寸设计 |
| 3.1.1 下基板结构尺寸设计 |
| 3.1.2 上基板尺寸设计 |
| 3.2 三层晶圆片级封装结构尺寸设计 |
| 3.2.1 基座片和窗口片尺寸设计 |
| 3.2.3 墙体片尺寸设计 |
| 3.3 基板力学及光学分析 |
| 3.4 超大面阵非制冷红外探测器片级封装真空寿命设计 |
| 3.4.1 基于渗透泄漏的真空寿命计算方案设计 |
| 3.4.2 薄膜吸气剂方案设计 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 超大面阵非制冷红外探测器片级封装工艺流程设计 |
| 4.1 两层晶圆片级封装工艺流程设计 |
| 4.1.1 CTW片级封装工艺流程设计 |
| 4.1.2 CTW片级封装关键工艺验证 |
| 4.1.3 WTW片级封装工艺流程设计 |
| 4.2 三层结构片级封装工艺流程设计 |
| 4.3 本章小结 |
| 第五章 全文总结与展望 |
| 5.1 全文总结 |
| 5.2 后续工作展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间学术成果 |
（8）央企背景下的企业并购成效研究 ——以XX研究所并购XX公司为例（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 课题来源及选题依据 |
| 1.2 研究目的及方法 |
| 1.3 论文基础框架 |
| 第二章 企业并购相关文献及理论 |
| 2.1 相关概念界定 |
| 2.1.1 并购 |
| 2.1.2 并购成效 |
| 2.2 并购与并购成效的理论基础 |
| 2.2.1 并购相关研究 |
| 2.2.2 并购成效相关研究 |
| 2.3 并购成效的评价方法 |
| 2.3.1 事件研究法 |
| 2.3.2 财务分析法 |
| 2.3.3 EVA分析法 |
| 第三章 当前我国央企并购的概况 |
| 3.1 央企背景下企业并购的含义与特点 |
| 3.2 央企背景下企业并购的背景分析 |
| 3.3 央企背景下企业并购的动因分析 |
| 3.4 央企背景下企业并购的经济成效 |
| 3.4.1 盈利能力成效 |
| 3.4.2 偿债风险成效 |
| 3.4.3 营运能力成效 |
| 3.4.4 发展能力成效 |
| 3.4.5 核心竞争力成效 |
| 第四章 XX研究所并购XX公司案例分析 |
| 4.1 案例背景与业务现状 |
| 4.1.1 项目背景 |
| 4.1.2 并购参与各方基本情况 |
| 4.1.3 并购案例双方业务现状分析 |
| 4.1.4 并购双方业务竞争性分析 |
| 4.1.5 并购双方业务互补性分析 |
| 4.2 并购过程分析 |
| 4.2.1 并购模式分析 |
| 4.2.2 并购活动筹资分析 |
| 第五章 XX研究所并购XX公司成效研究 |
| 5.1 并购成效基础条件研究 |
| 5.2 从XX研究所角度的成效分析 |
| 5.3 从XX公司角度的并购成效研究 |
| 5.4 XX公司所在地地方政府角度成效研究 |
| 5.5 案例研究结论 |
| 第六章 案例研究的启示与建议 |
| 6.1 央企背景下的企业并购启示 |
| 6.2 改善央企背景下的企业并购成效的意见建议 |
| 6.2.1 要重视并购后的各类风险及对策研究 |
| 6.2.2 应着眼从技术角度提升公司运营效能 |
| 6.2.3 要重视并购整合尤其是并购的后期整合 |
| 6.2.4 要关注产品及业务的调整 |
| 6.2.5 要在输入技术的同时输入管理人才 |
| 6.3 本文研究的局限性说明 |
| 第七章 研究结论与展望 |
| 7.1 研究结论 |
| 7.2 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 作者简介 |
（9）准分子激光微加工Al2O3陶瓷和硅晶片的实验研究（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.2 研究目的和意义 |
| 1.3 国内外的研究现状 |
| 1.4 准分子激光微加工的应用 |
| 1.4.1 微电子行业及先进封装技术领域的应用 |
| 1.4.2 MEMS材料加工 |
| 1.4.3 生物医学材料加工应用 |
| 1.5 本文的研究内容 |
| 第二章 准分子激光及微加工机理 |
| 2.1 准分子激光原理 |
| 2.2 准分子激光光束特性 |
| 2.2.1 激光波长 |
| 2.2.2 光强分布 |
| 2.2.3 脉冲宽度 |
| 2.3 准分子激光器技术的发展 |
| 2.4 准分子激光微加工系统 |
| 2.5 准分子激光微加工的两种方式 |
| 2.5.1 掩模投影 |
| 2.5.2 激光直写 |
| 2.6 准分子激光与物质相互作用机理 |
| 2.6.1 光化学理论 |
| 2.6.2 光热理论 |
| 2.6.3 光热-光化学理论 |
| 2.7 本章小结 |
| 第三章 不同波长准分子激光微加工Al_2O_3陶瓷的实验研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验材料 |
| 3.3 193 nm准分子激光微加工Al_2O_3陶瓷的实验研究 |
| 3.3.1 实验装置和实验方法 |
| 3.3.2 实验结果及分析 |
| 3.4 248 nmKrF准分子激光微孔加工Al_2O_3陶瓷的实验研究 |
| 3.4.1 实验装置和实验内容 |
| 3.4.2 实验结果和分析 |
| 3.5 308 nm准分子激光微加工Al_2O_3陶瓷的实验研究 |
| 3.5.1 实验装置和实验内容 |
| 3.5.2 实验结果和分析 |
| 3.6 本章小结 |
| 第四章 不同波长准分子激光微加工硅晶片的实验研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验材料 |
| 4.3 实验装置 |
| 4.4 193 nm准分子激光微加工硅晶片的实验研究 |
| 4.4.1 实验内容 |
| 4.4.2 实验结果及分析 |
| 4.5 248 nm准分子激光微加工硅晶片的实验研究 |
| 4.5.1 实验内容 |
| 4.5.2 实验结果及分析 |
| 4.6 308 nm准分子激光微加工硅晶片的实验研究 |
| 4.6.1 实验内容 |
| 4.6.2 实验结果和分析 |
| 4.7 本章小结 |
| 第五章 总结与展望 |
| 5.1 总结 |
| 5.2 论文的主要创新点 |
| 5.3 展望 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间的学术成果情况 |
（10）基于金属硬掩膜集成方案的铜互连双大马士革结构刻蚀工艺的开发及优化（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 集成电路互连技术发展趋势 |
| 1.2 铜互连技术的产生 |
| 1.3 低K材料的引入 |
| 1.4 刻蚀工艺简介 |
| 1.4.1 刻蚀技术术语介绍 |
| 1.4.2 干法刻蚀分类 |
| 1.4.3 干法刻蚀机制 |
| 1.5 刻蚀工艺在铜互连中的应用 |
| 1.5.1 铜互连双大马士革工艺集成方案分类 |
| 1.5.2 基于金属硬掩膜集成方案双大马士革刻蚀工艺流程 |
| 1.5.3 金属硬掩膜双大马士革刻蚀工艺的优点 |
| 1.5.4 金属硬掩膜双大马士革刻蚀工艺存在的挑战 |
| 1.6 本文的研究内容及方向 |
| 1.7 实验设备与条件 |
| 1.7.1 实验研究流片技术平台 |
| 1.7.2 实验与分析测试设备 |
| 1.7.3 研究对象与产品验证载体 |
| 第二章 低图形密度下双大马士革结构一体化刻蚀通孔聚合物残留缺陷优化 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 双大马士革结构一体化刻蚀工艺中聚合物残留缺陷描述 |
| 2.2.1 通孔链接触电阻异常与通孔底部残留 |
| 2.2.2 通孔底部残留与金属层布线密度的关系 |
| 2.2.3 通孔底部残留物理结构与成分分析 |
| 2.3 低图形密度下通孔底部残留形成原因分析 |
| 2.4 实验设计与工艺优化 |
| 2.4.1 工艺参数调整对通孔底部残留的影响 |
| 2.4.2 工艺参数调整负面影响改进 |
| 2.4.3 优化后一体化刻蚀工艺菜单 |
| 2.5 工艺优化结果确认 |
| 2.6 本章小结 |
| 第三章 双大马士革结构一体化刻蚀后晶圆表面氟钛凝结缺陷控制优化 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 刻蚀后晶圆表面氟钛残留物分布规律 |
| 3.3 刻蚀后晶圆表面氟钛凝结物缺陷潜在形成机理分析 |
| 3.4 氟钛残留物形成控制实验设计 |
| 3.5 氟钛残留物形成控制实验结果与分析 |
| 3.6 PST过程的作用机理验证 |
| 3.7 本章小结 |
| 第四章 双大马士革结构一体化刻蚀后湿法清洗工艺中铜腐蚀失效优化 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 铜互连工艺中图形变异失效问题描述 |
| 4.3 图形变异失效物理结构分析 |
| 4.4 铜腐蚀失效潜在原因分析 |
| 4.5 铜腐蚀失效重复验证湿法清洗实验设计 |
| 4.6 铜腐蚀失效重复验证实验结果 |
| 4.7 铜腐蚀失效机理分析与优化控制方案 |
| 4.7.1 光诱导电化学铜腐蚀形成要素 |
| 4.7.2 像素晶圆版图结构特点分析 |
| 4.7.3 失效机理与优化控制方案 |
| 4.8 本章小结 |
| 第五章 总结与展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读硕士学位期间已发表或录用的论文 |
四、晶片、微电子与技术升级（论文参考文献）
- [1]美国国防部可信微电子战略和举措演进研究[J]. 张倩,刘馨阳,聂国健,周军连. 科技管理研究, 2021(07)
- [2]一种H型梁谐振式MEMS压力传感器[D]. 黄崇勇. 合肥工业大学, 2021
- [3]一种H型梁谐振式MEMS压力传感器[D]. 黄崇勇. 合肥工业大学, 2021
- [4]归心[J]. 秦北. 当代, 2020(02)
- [5]硅通孔微波耦合特性及三维集成微波无源滤波器研究[D]. 曲晨冰. 西安电子科技大学, 2019(07)
- [6]基于QCM的湿度传感器及性能研究[D]. 崔莹. 西南石油大学, 2019(06)
- [7]超大面阵非制冷红外探测器片级封装设计[D]. 陈定辉. 电子科技大学, 2019(01)
- [8]央企背景下的企业并购成效研究 ——以XX研究所并购XX公司为例[D]. 张科. 东南大学, 2019(03)
- [9]准分子激光微加工Al2O3陶瓷和硅晶片的实验研究[D]. 何立文. 合肥工业大学, 2018(02)
- [10]基于金属硬掩膜集成方案的铜互连双大马士革结构刻蚀工艺的开发及优化[D]. 姬峰. 上海交通大学, 2016(01)